本文是論壇里一個高工作的一次實(shí)驗，這次對于晶振電容的算去和計算，不僅具有理論性，還具有實(shí)操性?？梢詭椭蠹医鉀Q不少問題。

今天要做晶振的second source，把晶振焊上去后發(fā)現(xiàn)普遍比較低，要求是 25M +/-20ppm ，就是說偏差不超過 500Hz ，但是測量三片，只有一片合格，其他兩片均偏小幾百赫茲。查了數(shù)據(jù)手冊得知實(shí)際頻率和標(biāo)稱頻率之間的關(guān)系：

Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2)

而 CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs為雜散電容， Cg 和 Cd為我們外部加的兩個電容，通常大家取值相等，它們對串聯(lián)起來加上雜散電容即為晶振的負(fù)載電容 CL.

具體公式不用細(xì)想，我們可以從中得知負(fù)載電容的減小可以使實(shí)際頻率Fx變大，

我們可以改變的只有Cg和Cd，通過初步的計算發(fā)現(xiàn) CL 改變 1pF,Fx可以改變幾百Hz 。

原有電路使用的是33pF的兩個電容，則并聯(lián)起來是16.5pF，我們的貼片電容只有 27pF,33pF， 39pF,所以我們選用了27pF 和 39pF并聯(lián)，則電容為15.95pF 。電容焊好后，測量比原來大了 200 多赫茲，落在了設(shè)計范圍內(nèi)。

結(jié)論：晶振電路上的兩個電容可以不相等，通過微調(diào)電容的值可以微調(diào)晶振的振蕩頻率，不過如果你測了幾片晶振，頻率有大有小，而且偏移較大，那么這個晶振就是不合格的。